中国第三代半导体厂商扎堆“出海”


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ICSZChina2025深圳国际半导体展

近年来，在庞大的市场潜力与复杂的国际环境共同影响下，半导体行业的竞争愈发激烈。为了在国际舞台上增强话语权，中国的多家半导体企业纷纷将目光投向海外市场，而赴港上市成为它们重要的战略选择之一。
在天域半导体于12月23日成功递交港交所主板IPO申请并获受理之后，国内另外两家从事三代半导体业务的厂商——英诺赛科和天岳先进也纷纷瞄准港股市场。其中，英诺赛科已经率先在香港联合交易所（简称“香港联交所”）成功挂牌上市。


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英诺赛科港股敲钟



2024年12月30日，专注于氮化镓功率半导体的企业英诺赛科正式登陆香港联交所主板，开启其上市之旅。
在此次全球发售中，英诺赛科共发行了4536.4万股H股，每股发行定价为30.86港元，总计募资约14亿港元，实际募集资金达到13.02亿港元。根据公司的规划，这些资金将主要用于提升8英寸氮化镓晶圆的产能、研发新产品以及扩展产品线，并且扩大氮化镓产品在全球的分销网络。
根据英诺赛科最终的发售价和配发结果公告，公司成功吸引了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备等四名基石投资者，他们共同认购了价值1亿美元的发售股份。
英诺赛科成立于2017年，是一家专注于第三代半导体技术，致力于硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。公司产品线丰富，包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路及氮化镓模组等，广泛应用于消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子和数据中心等多个领域。


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图片来源：英诺赛科官网


据了解，英诺赛科不仅在珠海成功建立了中国首个完整的8英寸硅基氮化镓晶圆及功率器件的大规模生产线，而且其于2021年10月投入运营的苏州工厂更是位居全球之最，成为最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地。
根据英诺赛科的公开信息，2023年，公司以氮化镓分立器件的出货量来计算，在全球氮化镓功率半导体行业中占据了领导地位，市场份额高达42.4%。截至2024年第三季度，英诺赛科的氮化镓产品出货量已经突破10亿颗大关！


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天岳科技拟赴港上市 冲刺A+H



12月27日，碳化硅衬底厂商天岳先进发布公告称，根据公司总体发展战略及运营需要，公司拟在境外发行股份（H 股）并在香港联交所上市。


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图片来源：天岳先进


关于此次选择在香港上市的原因，天岳先进在公告中明确表示，主要是为了加速公司的国际化进程和海外市场布局，提升公司在海外的融资能力，从而进一步增强公司的资本力量和市场竞争力。
然而，天岳先进也指出，此次H股上市计划需要经过公司董事会和股东大会的审议，并且需要获得中国证券监督管理委员会、香港联交所以及香港证券及期货事务监察委员会等政府和监管机构的备案或审核批准。因此，此次H股上市能否顺利通过审议、备案和审核程序，并最终实施，存在一定的不确定性。
根据公开资料，天岳先进是一家专注于碳化硅单晶衬底材料的研发、生产与销售的高科技企业，主要业务涉及碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，其产品在微波电子、电力电子等多个领域有着广泛的应用。
目前，天岳先进在山东济南和济宁设有生产工厂，这两个工厂是其碳化硅半导体材料的生产基地，而上海临港的智慧工厂则是其主要生产导电型碳化硅衬底的地方。天岳先进已能够批量供应8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品，其导电型碳化硅衬底产品已与英飞凌、博世等国际知名企业建立了合作关系，这些企业活跃于电力电子、汽车电子领域。
在近期的投资者调研活动中，天岳先进透露，公司在实现8英寸碳化硅衬底本土化替代的同时，该产品已经率先实现向海外客户的批量销售。根据其半年报，全球前十大功率半导体企业中，超过一半已成为天岳先进的客户。


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三代半厂商加速“出海”



近年来，随着消费电子需求的增长，以及新能源汽车、数据中心、光伏、风电、工业控制等行业的蓬勃发展，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体企业迎来了快速发展。
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询之前发布的数据，2023年全球GaN功率元件市场规模约为2.71亿美元，预计到2030年将增长至43.76亿美元，复合年增长率（CAGR）高达49%。同时，SiC在汽车和可再生能源等领域，其功率密度和效率至关重要的应用市场中，正迅速渗透，未来几年市场需求预计将持续增长。据预测，到2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美元。
在巨大的市场潜力和国家政策的支持下，中国的半导体企业已经驶入发展的快车道，并在国际市场上初步崭露头角。
天岳先进、英诺赛科、天域半导体等企业纷纷向港股市场提交“申请书”，这表明这些企业有望加快全球扩张步伐、提升技术研发和产能扩充，同时有助于企业进一步国际化、拓宽融资渠道，增强市场竞争力。


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